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我国第三代半导体材料制造设备取得新突破_dxb.120ask.com

日期:2018-5-10(原创文章,禁止转载)

从科技部获悉, 近日,863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。

通常,国际上把C)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代专门治疗癫痫的医院半导体材料。其在禁带宽癫痫病遗传吗度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物率的关键技术有很高的要求,长期以来制约着我国第三代半导体材料的规模化、产业化发展。

在国家8C单晶形成了我国具有自主知识微管”(微管密度1个/cm2)4英寸SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术,掌握了相关外延工艺技术,生长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片,并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅吉林较好的癫痫病重点医院二极管系列产品。已在市场西宁治疗癫痫病权威医院上批量推广使用。

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